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为了克服这些技术挑战，采用了一种新的方法，将像素部分和信号处理电路部分分别形成在两个单独的硅基板上，并且将两个硅基板高精度对准和键合，并在多个点进行电连接(日本专利号5773379TakuUmebayashi,HiroshiTakahashi,ReijiroShoji)。其结果是，在像素部分正下方确保了宽广的信号处理区域，同时实现了小型化和多功能化，而不会损害背照式CMOS图像传感器已经拥有的高质量性能。“一层”硅半导体器件改为“二层”。该技术作为堆叠式多功能CMOS图像传感器在世界上初始实现量产和商业化。车载领域的CIS应用包括：后视摄像(RVC)，***视图系统(SVS)，摄像机监控系统，FV/MV，DMS/IMS系统。茂名ONSEMIMT9M031I12STM特价

图像传感器主要分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器两大类。CCD和CMOS都是利用感光二极管进行光电转换，将图像转换为数字信号，但二者在感光二极管的周边信号处理电路和感光单元产生的电信号的处理方式不同。CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物场效应管）技术作为后起之秀，从90年代开始被重视并获得大量研发资源，逐步赶超CCD（Charge-CoupledDevice，电荷耦合器件），当前已经在图像传感器市场占据肯定的主导地位..广东ONSEMIMT9M031I12STM批量采购2017年为CMOS图像传感器高增长点，同比增长达到20%。

图像传感器（CIS）：摄像头模组的中心部件，光线通过镜头进入摄像头模组后，在CIS上成像，CIS将光信号转变为电信号，目前的智能手机上几乎全部使用的都是CMOS技术的CIS。CMOS图像传感器产业链主要由上游的晶圆代工厂、封装企业及测试企业，中游的芯片设计企业和下游的模组厂商及终端客户组成。CIS设计厂商处于产业链的中心环节，其产品方案通过代工方式委托给晶圆代工厂、封装和测试企业进行芯片的制造、加色、封装和测试。测试合格的产品经物流中心统一发货给终端客户（智能手机厂商、安全监控设备制造商、医疗设备制造商等）。

CMOS传感器的技术发展跟随摩尔定律快速发展，尤其是几年来在市场需求的推动下，关键技术不断取得突破。对于用户关注的CMOS的照度和噪点等问题，实际上可见光下CMOS的信噪比远高于CCD。一方面，随着国际CMOS大厂的不断改进，CMOS还继续在成像的通透性、对实物的色彩还原能力等方面迎头赶上。研发了感光度增强技术，进而通过使用大尺寸传感器提高开口率，这正是提高CMOS感光能力的直接办法。即便是在噪音控制方面，有公司将专门的噪声检测算法直接整合于CMOS图像传感器的控制逻辑中。通过这项技术，固定噪声就可以成功剔除了。更何况CMOS的价格远低于CCD设备。另一方面，在ISP中采用多种技术革新，如去噪技术来提升CMOS的噪点问题。CMOS传感器逐渐成为摄影领域主流，并广泛应用于多种场合。

CMOS传感器实际上是一个高度集成的图像系统。当外界光线照射到CMOS传感器上的时候：（1）传感器拥有的像素阵列会发生光电效应；（2）光电效应使得像素阵列上的每个像素单元产生对应外界色彩和亮度的电荷信号；（3）信号会被模数转换电路转换成数字图像信号；（4）数字信号经过集成于同一芯片上的ISP处理后输出。简单来说，CMOS传感器就像一组太阳能电池矩阵，每个像素就是矩阵中的一个电池，每个电池按照前方的亮度和色彩排布进行充电，之后统计每个电池的电量，就能得出对应的亮度和色彩，从而还原出现实的景象。芯片相机的崛起为多个领域（车载、航天、医疗、工业制造、安防）等领域的技术创新提供了新机遇。汕头安森美MT9M031I12STM芯片

CMOS图像传感器走向商业化1.1995年2月，Photobit公司成立，将CMOS图像传感器技术实现商业化。茂名ONSEMIMT9M031I12STM特价

适合与逻辑电路芯片堆叠的背照式CMOS图像传感器：背照式结构比较大限度地减少了不同光学角度导致的灵敏度下降，同时也增加了进入每个像素的光量，因为没有障碍物，例如已经移动到硅的另一侧的金属布线和晶体管基质。然而，与传统的前照式结构相比，背照式结构的器件结构和制造工艺通常会产生噪声、暗电流、像素缺陷或混色等问题，从而导致图像质量下降和导致信噪比下降。为了克服这个问题，索尼开发了一种独特的光电二极管结构，通过减少噪声、暗电流和缺陷像素来实现更高的灵敏度和更低的随机噪声。此外，索尼的高精度校准等先进技术解决了混色问题。茂名ONSEMIMT9M031I12STM特价

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